热电薄膜制备及温差能采集器件研究

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进入21世纪以来,随着全球工业化的发展,人类对能源的需求不断增长,在近百年中,能源的消耗主要以化石类能源为主。人类正在消耗地球50万年历史中积累的有限能源资源,常规能源已面临枯竭。基于绿色、创新的发电机的需求已经刻不容缓。至关重要的是,这些新型发电机是自我维持而非使用传统能源来维持其运行。热电技术的独特之处就是通过利用浪费的热能来重新利用产生电能。这些材料背后的物理原理是利用温度梯度来产生电流,也就是利用塞贝克效应和帕尔帖效应。首先本论文主要通过一种成本低廉、操作简单、可大量制备的方法在ITO/Au上使用电化学沉积法制备纯相N型碲化铋和P型碲化铋薄膜热电材料。通过精准控制沉积电位、沉积时间、电镀液浓度等制备不同厚度、不同沉积速度碲化铋热电薄膜。研究不同条件下所制备薄膜的晶向、表面形貌、薄膜厚度、表面粗糙度、电导率和塞贝克系数等参数。最终我们得出当电位为1.3V,沉积时间为120s时,其所制备的N型碲化铋热电薄膜各项性能均优于其他电位所制得薄膜,其塞贝克系数和功率因子分别为27.2μV/K和19.76μW/K2_*cm;当电位为1.3V,沉积时间为120S时,所制备的P型碲化铋热电薄膜各项性能均优于其他电位所制得薄膜,其塞贝克系数和功率因子分别为28.54μV/K和19.45μW/K2_*cm。其次本论文将传统热电理论与MEMS工艺结合制备微型MEMS热电器件。使用传统材料金属铝和N型多晶硅分别为N型和P型制备新型MEMS热电器件,主要使用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备,N型多晶硅和金属铝在不同温度梯度下可产生电势差。所制备MEMS热电器件经过封装测试其电压可达到0.137mV和电流可达到0.023μA。
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