半导体纳米线作为新兴的纳米材料，由于其独特的性质受到了广泛的关注和研究。到目前为止，许多特定组分和掺杂的纳米线已经被成功制备。GaAs材料由于具有较高的电子迁移率，是制作高速光电器件的理想材料。而可控的掺杂和单根纳米线上pn结的实现则是制作高性能纳米器件的前提条件。本文围绕GaAs纳米线的掺杂和单根GaAs纳米线上径向pn结的制备展开了研究，论文的主要内容和取得的研究成果包括：　　 1、总结了国际上GaAs纳米线p型和n型掺杂的研究成果，比较了常用的掺杂元素和掺杂方法的优劣。　　 2、对轴向纳米线pn结的过渡区长度进行了理论分析，结果表明通过减小第一种掺杂源的流量或者增大第二种掺杂源的流量可以减小pn结过渡区的长度。　　 3、与人合作，采用DEZn和SiH4作为掺杂源，在GaAs(111)B衬底上通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术分别生长出了p型和n型GaAs纳米线。实验结果表明：较高的DEZn流量(Ⅱ/Ⅲ>0.08％)会导致纳米线发生扭结和变形，实验结果与国外文献的结论一致。由于p型掺杂浓度与Ⅱ/Ⅲ成正比，因此采用Zn元素作为p型杂质掺杂浓度会存在一个上限值。而Si元素对纳米线的形貌影响不大，即使在较高SiH4通入量(80sccm)的情况下纳米线的形貌依然良好。　　 4、采用DEZn和SiH4作为p型和n型掺杂源，在GaAs(111)B衬底上通过MOCVD技术生长出了两种GaAs纳米线径向pn结。实验结果表明：即使在较高的DEZn流量(70sccm)下，大部分纳米线都具有较好的形貌和晶体质量，说明GaAs纳米线径向pn结能够承受更高的DEZn流量。EDS测试结果显示Si和Zn成功的掺入了GaAs纳米线，并且两种元素在纳米线中的分布符合样本的掺杂方式，进一步证明了实验的正确性。　　 5、初步尝试了GaAs纳米线径向pn结电极的后工艺制备，观察了去胶后的纳米线形貌。发现纳米线出现了轻微的倾斜和团聚，基本达到了制备电极的要求。