MFIS结构中铁电畴变的实验研究

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【摘要】

：

金属/铁电薄膜/绝缘层/硅(MFIS)结构铁电场效应晶体管(FeFET)由于具有非挥发信息存储、高读写速度、高存储密度、强抗辐射能力和非破坏性读出等优点，引起了人们极大的关注。SrBi_2Ta_2O_9(SBT)薄膜为具有抗疲劳性能好、漏电流低等优异特点的重要无铅铁电材料，HfO_2薄膜为较高介电常数的绝缘层材料，并且SBT和HfO_2的多层膜结构具有好的热稳定性，能够与大规模集成电路制备工艺兼容

【作者】

：

张中华

【机构】

：

湘潭大学

【发表日期】

：

2012年05期

【关键词】

：

铁电场效应晶体管金属/铁电薄膜/绝缘层/硅保持性能畴变压电响应力显微镜

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