铌酸钠基无铅陶瓷的储能研究

来源 :南京邮电大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:LITAO14073164
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电介质电容器由于其超高的充放电速率和极高的功率密度,已成为脉冲电源设备中最重要的部件之一。在诸多介质电容器储能材料中,由于陶瓷电容器具有中等的击穿场强、低的介电损耗以及优良的温度稳定性等优点,在航空航天、石油钻井和电磁脉冲武器等领域有广阔的应用前景。因此,设计和制备综合性能优异的陶瓷电容器十分重要。铌酸钠(NaNbO3)由于其制备原材料成本较低,且烧结时不需要额外的保护气氛,所以是当下无铅电介质储能领域的研究热点之一。作为一种ABO3型钙钛矿结构的反铁电材料,NaNbO3随温度的变化呈现出十分复杂的相变。室温下,NaNbO3是反铁电相,但其反铁电相的自由能和铁电相的自由能很接近,所以其室温下的反铁电相很不稳定,常规合成出来的NaNbO3在加外电场测试时,电滞回线往往表现为单回线,这就导致了其储能密度和储能效率较低。当前可通过向NaNbO3中引入异价离子,提高体系的弛豫特性来降低电滞回线的滞后,从而提高其储能性能。本论文以NaNbO3为主要研究对象,选取无序材料Ba(Mg1/3Nb2/3)O3与NaNbO3形成固溶体,一方面通过异价掺杂可以破坏NaNbO3体系的长程有序,提高体系的弛豫特性;另一方面可以提高体系的耐击穿能力。通过调节固溶体中Ba(Mg1/3Nb2/3)O3的浓度和优化制备工艺(包括烧结温度,排胶条件和陶瓷烧结时的密封程度等),最终得到同时拥有高储能密度和高储能效率的(1-x)NaNbO3-x Ba(Mg1/3Nb2/3)O3陶瓷。当Ba(Mg1/3Nb2/3)O3的浓度为25%时,0.75NaNbO3-0.25Ba(Mg1/3Nb2/3)O3陶瓷在电场262.64 k V/cm下获得了2.43 J/cm~3的储能密度和52.25%的储能效率。通过对介电常数和介电损耗的分析可知,在Ba(Mg1/3Nb2/3)O3浓度为25%时,体系的弛豫性能最强。最后,通过威布尔分布对陶瓷的本征介电击穿场强进行了分析,在Ba(Mg1/3Nb2/3)O3的浓度为30%时获得了最大击穿场强290.45 k V/cm。为了寻找进一步提高0.75NaNbO3-0.25Ba(Mg1/3Nb2/3)O3陶瓷储能密度和效率的工艺,本论文在压制陶瓷生胚时,摸索采用了6种不同的单轴压力,实验结果表明,在1.5 MPa压力下,0.75NaNbO3-0.25Ba(Mg1/3Nb2/3)O3陶瓷的储能密度和效率最高。通过威布尔分布对陶瓷本征介电击穿场强进行分析可知,在2 MPa的压力下获得的陶瓷的击穿场强最大为262.66k V/cm。
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