纳米压印光刻技术作为一种非传统光刻技术,同时也是下一代光刻技术之一,主要应用于微纳米结构的低成本、高精度以及大规模的制备。相对于传统的光学光刻或电子束光刻,纳米压印技术直接利用机械力将模板上的图形转移到压印胶上,其图形分辨率只与模板有关,所以在理论上利用纳米压印技术制备微纳图形可以突破光学光刻最短曝光波长的物理极限,从而获得更高精度的微纳图形。本文着眼于纳米压印技术在微纳结构制备领域低成本、超高分辨率、高生产效率的独特优势,对应用纳米压印技术制备微纳结构进行了研究,主要目的是将纳米压印技术应用于不同的微纳结构制备之中,以实现低成本、高精度以及大规模的微纳结构制备。主要的研究内容与结果如下:1.应用纳米压印技术制备超高精度的透射光栅。首先结合电子束光刻与溶脱工艺制备了分辨率为70nm的硅基光栅模板,然后利用纳米压印技术成功的在二氧化硅基底上制备了70nm分辨率的透射光栅,证实了应用纳米压印技术对超高精度光栅进行低成本大规模制备的可行性。2.通过对同一基底重复进行压印与刻蚀的实验方式,成功的利用纳米压印技术制备了3层微米级沟道与2层纳米级沟道结构。对于3层微米级沟道,其第一层沟道的宽度为4.58μm,高度为109.2nm;第二层沟道宽度为1.578μm,高度为143.3nm;第三层沟道宽度为838nm,高度为122.9nm;对于纳米级沟道结构,其中第一层沟道的宽度为167nm,刻蚀高度为100nm;第二层沟道宽度为46.51nm,刻蚀高度为100nm。并且通过改变硅基光栅模板的特征尺寸,可以实现对不同特征尺寸多层微纳米级沟道的制备。为多层微纳沟道结构实现低成本、大规模的工业生产提供新思路。3.在光刻胶热熔法的基础上,应用纳米压印技术进行了微纳米透镜阵列结构的制备研究。在硅基底上制备了单个透镜孔径约为300nm,高度约为120nm的纳米级透镜阵列结构。解决了传统的光刻技术因曝光波长的限制对纳米级透镜阵列的制备困难问题。证实了纳米压印技术在微纳米透镜阵列结构制备领域的应用可行性,有望实现微透镜阵列结构的低成本、高效的大规模制造。