氧化锌（ZnO）作为过渡金属氧化物（Transition Metal Oxides,TMOs）具有优异的光学和电学性能,如何将其应用于新能源领域已经成为重要的研究方向之一。ZnO薄膜的结构和性质与制备工艺密切相关,选取合适的工艺参数是制备高质量薄膜材料的关键点,探索薄膜性质与工艺参数之间的关联性是获得高质量薄膜材料的研究基础。在薄膜的工业化应用中,ZnO薄膜的优秀光电特性使其在太阳电池领域中大放异彩,其不仅可以作为电子传输层还可以作为透明顶电极,可以有效提高太阳电池的光电转换效率。本论文围绕ZnO薄膜材料做了两项研究,一是利用射频磁控溅射方法,采用纯Ar和ZnO陶瓷靶材组合,通过改变溅射时间和气压制备了七组ZnO薄膜样品,然后采用双束电子显微镜、X射线能谱仪、紫外可见分光光度计和四探针测试仪表征薄膜样品的表面形貌、元素含量、光透过率和方块电阻等参数,研究溅射时间和气压对ZnO薄膜微观结构和光电性质的影响;二是研究了一种应用ZnO薄膜的ZnO（n）/ZnSe（i）/c-Si（p）异质结太阳电池,利用异质结太阳电池模拟软件—AFORS-HET研究膜厚、掺杂浓度、缺陷、顶电极材料和环境温度等参数对太阳电池性能的影响。结论如下:1.ZnO薄膜制备:当溅射时间达到45 min以上,薄膜晶粒尺寸增大且粗糙程度显著改善;溅射气压为4.0 Pa的ZnO薄膜光吸收边最陡峭、成膜质量最好,同时方块电阻也最小。因此生产时可以在4.0 Pa的溅射气压条件下,将溅射时间调整到45 min以上,这样可以得到微观结构和光电性质俱佳的高质量ZnO薄膜。并且在实际应用中可以利用激光切割技术来调整薄膜厚度,从而得到满足各项需求的薄膜材料。2.ZnO/ZnSe/c-Si太阳电池模拟:当环境温度为300 K时,在ZnO发射层厚度为10 nm,掺杂浓度为1018 cm-3,ZnSe本征层厚度为10 nm,c-Si吸收层掺杂浓度为1021 cm-3,ZnO和c-Si层中缺陷态密度为1017 cm-3,ZnSe/c-Si界面缺陷态密度为1025 cm-3以及顶电极材料为ZnO薄膜的优化参数条件下,光电转换效率可以高达30.37%。其相比于ZnO（n）/Si（p）结构具有很大提升。实验结果为采用射频磁控溅射法制备高质量ZnO薄膜时的溅射时间和气压参数设置与ZnO薄膜材料在高效异质结硅基太阳电池中的应用提供了一定的理论依据和参考价值。