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采用电子束溅射法制备了不同工艺条件的过渡族金属(Fe、Co、Cu)掺杂ZnO薄膜。通过对样品薄膜的结构分析,系统研究了在不同的工艺条件下如衬底类型、衬底温度、氧分压、退火温度,以及Cu掺杂含量对薄结晶状况的影响,找出薄膜结构最佳工艺参数,获得沿c轴高度择优取向的高质量ZnO薄膜。我们采用原子力显微镜(AFM)方法观察薄膜的显微结构,利用所得的图象信息对薄膜的晶粒结构、晶粒取向、表面形态平整度等进行分析讨论,认为400℃的衬底温度对硅衬底薄膜是合适的,与结构分析的结果一致。通过对薄膜磁性能的分析和研究