钛酸锶钡（BSTO）铁电材料在微波和信息等领域具有很大的优势和潜力。钛酸锶钡电光相移器同铁氧体相移器相比,主要优点是功率处理能力大、相移速度快、驱动功率小、插入损耗小、体积小、重量轻。本课题的研究目标就是得到可用于相移器的低介电常数、高可调性、低损耗的钛酸锶钡陶瓷材料。本课题采用的研究方法主要有两种:氧化物掺杂（包括A位取代法和直接添加法）,TGG（种晶模板生长）法制备BSTO厚膜。实验中均以Ba_0.5Sr_0.5TiO₃作为基体材料。其中,直接添加质量含量5%左右的MgO、Al₂O₃制得了介电常数在800以下,损耗角约为0.001,可调性在15%以上的BSTO陶瓷材料。实验结果中可调性的增大可以用Ti-O间非谐相互作用理论和软模理论进行解释。XRD结果表明TGG法制得了70%以上{001}织构的BSTO厚膜。织构对BSTO介电性能的影响还有待更深入的研究。此外,本课题还开始尝试利用sol-gel法制备BSTO薄膜的工作。