【摘 要】
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多晶硅是半导体和光伏产业的基础材料,是一种重要的战略材料。各国都在大力发展大规模多晶硅生产技术。其中硅烷法具有低能耗、清洁无污染、分解率高、产物纯度高等优点,是制造
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多晶硅是半导体和光伏产业的基础材料,是一种重要的战略材料。各国都在大力发展大规模多晶硅生产技术。其中硅烷法具有低能耗、清洁无污染、分解率高、产物纯度高等优点,是制造多晶硅的一种重要方法,但沉积速率较慢,还不能令人满意。本文通过研究西门子反应器内硅烷分解过程,探讨硅烷法工艺参数的影响规律,以获得低成本、快速沉积多晶硅的生产工艺。
计算流体力学(CFD)已广泛应用于各种工程实际中,尤其适合于研究特殊尺寸、高温、易燃易爆等实验中只能接近而无法达到的理想条件,具有周期短、成本低等优点。通过对硅烷分解过程热力学和动力学分析,本文采用标准K-e湍流模型、DTRM辐射模型、有限反应速率模型,应用计算流体力学软件FLUENT对硅烷的分解过程进行模拟。
模拟结果表明气体流速、棒温、压力对分解过程的各项指标有不同程度的影响。流速的增大可以显著增加硅产量并降低单位能耗,但大量未分解的硅烷从出气口排出,成为流速增大的限制条件;较低的温度可以显著减小能耗,但温度过低会排出大量未彻底反应硅烷,而温度过高则产生大量硅粉;增大压力可以在一定程度上减少硅粉的生成。本文给出六对硅棒西门子分解炉内的较优工艺参数,并分析了该优化工艺下分解炉内流场、热场和浓度场的分布特点。
对硅棒的生长过程的模拟表明:在硅棒直径小于25mm时,关键在于降低出口硅烷质量,因此需要适当增加硅棒温度,减小流速;在硅棒直径大于75mm时关键在于控制硅粉的质量,因此需要适当减小硅棒温度。
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