斯格明子磁性结构的模型模拟研究

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磁性材料中非共线的自旋结构因其新奇的物理现象得到了广泛的研究,而磁性斯格明子作为一种拓扑保护的,具有粒子特性的非线性自旋构型,常常出现在缺乏中心对称性的手性B20化合物(如MnSi、FeGe和Fe1-xCoxSi)中。斯格明子因其极低的电流驱动和高效的磁电耦合特性,很有可能被用于构筑下一代自旋电子器件、内存逻辑单元和微波器件。第一章,主要介绍斯格明子相关的背景知识。介绍了斯格明子的基本概念,利用中子散射或Lorentz透射电子显微镜对三维(MnSi)和二维(Fe0.5Co0.5Si)材料体系中斯格明子晶格的实验观测。第二章,主要介绍了微磁学研究的相关理论背景。利用包含各类磁性相互作用的自旋模型来模拟材料的磁性结构,蒙特卡洛模拟来模拟材料的退火过程,LLG方程来研究电流、磁场条件下磁性结构的动态演化。第三章,主要利用了自旋模型,并根据蒙特卡洛模拟和其他数值优化方法,对手性材料的磁性结构进行了模拟计算。对于三维体系,计算模拟了螺旋相、锥形相、斯格明子相这三种非线性磁性结构,简要地介绍了各个相的基本特点。对于二维体系,模拟得到的磁场-温度相图与其三维的情形有所差异,锥形态由于材料厚度的约束而消失,取而代之的是占据更大相区更加稳定的斯格明子相。第四章,主要利用了自旋模型和LLG微磁学模拟,探讨了磁场和电流对斯格明子动力学特性的影响。当斯格明子处于特定频率的交变磁场中时将会发生共振现象。沿着z轴施加的交变磁场会产生呼吸模式,而施加在平面内的交变磁场则会产生CCW和CW两种共振模式。电流能够有效地驱动斯格明子的运动,其运动的速度和电流密度成正比。绝热STT项主要影响着斯格明子沿着平行于电流方向的速度,而非绝热STT项主要影响着斯格明子沿着垂直于电流方向的速度。斯格明子具有一定的“粒子”性,在碰撞过程中可以在一定程度的形变后快速恢复原状,个体之间具有一定的互斥性。第五章,本论文的简要总结。
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