有机/无机杂化材料综合了有机材料和无机材料的优点,是一类很有发展前景的材料。本文以正硅酸乙酯（TEOS）为无机相前驱体,一甲基三乙氧基硅烷（MTES）和二苯基二甲氧基硅烷（DDS）为有机相前驱体,采用溶胶-凝胶法制备有机硅/SiO₂杂化材料,通过向杂化材料中加入纳米TiO₂,为提高霉菌环境下涂层的防护能力，制备了TiO₂/有机硅/SiO₂杂化材料。取得了如下结果：1.优化了杂化溶胶制备过程中TEOS、MTES和DDS的加入量，最终确定各有机硅单体用量摩尔比为n（TEOS）:n（MTES）:n（DDS）=6:9:1。根据杂化溶胶的凝胶时间，讨论并确定了杂化溶胶制备过程中EtOH、H₂O和HCl的加入量与有机硅单体的摩尔比为n（HCl）:n（H₂O）:n（EtOH）:n（Si）=0.0025:2:2:1。获得了制备杂化材料的固化条件参数。2.采用溶胶-凝胶法制备了不同SiO₂含量有机硅/SiO₂杂化材料，红外光谱研究表明不同TEOS含量制备的杂化材料有机、无机两相均形成了强相互作用的杂化体系。采用热重分析（TGA）和耐热性试验研究不同TEOS含量有机硅/SiO₂有机-无机杂化涂层的耐热性能；采用电化学阻抗（EIS）、浸泡试验和盐雾试验研究其耐蚀性能，结果表明，与未加TEOS的有机硅凃层相比，加入适量TEOS使得杂化凃层的热分解温度提高67℃，其耐蚀性能也得到明显提高。3.采用电化学阻抗（EIS）研究了有机硅单体摩尔比为n（TEOS）:n（MTES）:n（DDS）=6:9:1时所制备的杂化涂层在3.5%NaCl溶液中，不同浸泡时间的电化学阻抗行为。并根据电化学阻抗谱特征建立了等效电路，结合等效电路图及拟合结果分析了杂化涂层在3.5%NaCl溶液中不同浸泡时间杂化涂层的耐蚀性。研究结果表明在3.5%NaCl溶液中，有机硅/SiO₂杂化涂层具有良好的耐蚀性。4.分别采用原位聚合法和物理共混法，在有机硅/SiO₂杂化溶胶中加入TiO₂溶胶和粉体纳米TiO₂，分别制备出不同TiO₂含量的TiO₂/有机硅/SiO₂杂化材料，红外光谱研究表明：两种TiO₂加入方式所制备出的杂化材料中Ti原子均接枝到了杂化网络中。对成膜后的TiO₂/有机硅/SiO₂杂化涂层各项性能进行研究，结果表明采用原位聚合法，TiO₂加入量为1wt%时涂层的物理性能和耐蚀性较好，并且具有良好的防霉效果。