引线键合常用于混合集成电路中的电气互连。在薄厚膜混合集成电路中，主要有两种引线键合结构：金丝球与芯片上铝膜所形成的Au/Al键合系统；粗铝丝与厚膜金导体所形成的Al/Au键合系统。 本文主要针对粗铝丝（直径为200μm）与厚膜金导体（膜厚30μm）所形成的Al/Au键合系统的可靠性进行了深入的研究。基于Al/Au键合系统的热退化机制，设计并制备了试验样品。设计了相应的试验方案并进行可靠性试验，通过对试验结果的分析，研究了Al/Au键合系统的失效机理。选择合适的模型和失效判据对它的寿命进行评价，得到了加速寿命方程和激活能。最后，在此基础上探索了其它寿命评价模型。 通过研究发现，在恒定温度应力下，与Au/Al系统界面退化相同，Al/Au键合系统的退化主要表现为接触电阻增加，键合强度下降。经过高温储存后，Al/Au键合系统主要产生三种金属间化合物：AU4Al、Au2Al和AuAl2。由于形成金属间化合物电阻率比纯金属系统大得多，因此接触电阻增加。而由于金属间化合物的晶格常数、热膨胀系数、硬度、机械性能等各不相同，键合界面裂纹产生，键合强度下降。与Au/Al系统的热退化机制不同的是，Au/Al系统是以芯片上键合区铝薄膜的完全消耗为反应的终止时间，造成焊盘脱落；而对于Al/Au键合系统，两种金属都没有被完全消耗，它更易在金导体与金属间化合物之间接头处形成裂纹，最导致键合点脱开。研究还发现当Al/Au系统的互连接触电阻变化率达到20%后，退化速率大大加快，并以此把电阻变化率20%作为键合退化失效判据的选择依据。 针对键合界面退化主要考虑温度应力的影响，选择Arrhenius模型来评价Al/Au键合系统的可靠性寿命，得到加速寿命方程、失效激活能和模型的各项参数。厚膜金导体Al/Au键合失效激活能为0．63eV。若以键合互连电阻变化20%为失效判据时，加速寿命方程为Int=-2．9+7327．1/T，由加速寿命方程外推到室温（25℃）下的中位寿命为1．32×106小时。若以键合互连电阻变化40%为失效判据，加速寿命方程为Int=-2．5+7216．4/T，由加速寿命方程可外推到室温（25℃）下的中位寿命为9．13×106小时。并在此基础上提出了描述Al/Au键合系统电阻变化规律的电阻模型。即当t较小，B√t<<1时，接触电阻R=A√t+R0，该模型的加速寿命方程为：InA：-3828．81/T-0．581。它可用来描述在任意时刻下Al/Au键合系统电阻值的变化与时间的关系。