钙钛矿材料具有稳定性好、量子产率高、色纯度高等优势,成为新一代显示技术的核心材料。然而目前发光器件由于传统结构中不平衡的载流子传输速率,限制了器件性能的提升,器件结构的优化有利于提高发光二极管(LED)器件的性能。本文以不同配体修饰的CsPbBr3为发光材料,考察了表面配体类型、配体浓度和晶粒尺寸均匀性等对LED的影响,通过引入掺杂的空穴传输材料和电子阻断层的方法提升了器件的性能,并在准二维钙钛矿PEA2[CsPbBr3]PbBr4器件中验证了器件结构的效果。论文主要研究内容如下:(1)发光材料的优化:探究了油酸油胺、辛基磷酸、双十二烷基二甲基溴化铵(DDAB)配体体系的CsPbBr3的光电性能,发现DDAB作为配体时器件光电性能最佳,考察了器件性能随CsPbBr3平均尺寸和表面配体浓度的变化,获得0.08%的器件外量子效率。(2)器件结构的优化:通过poly-TPD与PVK掺杂对空穴传输材料进行改性,考察了其掺杂比例以及电子阻断层对器件性能的影响,得到0.53%的器件外量子效率,实现了 662.5%的提升,通过UPS、霍尔效应测试和对电流密度的测试证实效率的提升来自于器件结构中载流子传输速率的平衡。(3)器件结构性能的验证:利用“一步旋涂反溶剂法”制备了 PEA2[CsPbBr3]PbBr4准二维钙钛矿薄膜,考察了掺杂比例以及电子阻断材料浓度对器件性能的影响,在准二维钙钛矿器件中得到0.25%的器件外量子效率,证实了器件结构优化对量子点器件以及准二维钙钛矿器件的性能提升具有明显的效果。