本文给出基于纳米硅薄膜晶体管高灵敏度磁传感器，该传感器由源（S）、漏（D）、栅（G）和沟道两侧距漏端0.5倍沟道长度处霍尔输出端（VH1和VH2）构成，通过采用纳米硅薄膜沟道层和纳米硅/高阻单晶硅异质结界面作为磁敏感层，实现对外加磁场检测。采用低压化学气相沉积系统（LPCVD）在<100>晶向高阻单晶硅衬底上研究制备纳米硅薄膜，通过X射线衍射（XRD）分析给出纳米硅薄膜出现三个硅衍射峰，分别为<111>、<220>和<311>晶向，择优取向为<220>晶向，随着薄膜厚度的增加，硅衍射峰增强；扫描电子显微镜（SEM）分析给出纳米硅薄膜由不同晶向的纳米晶粒和晶粒间界组成，随着薄膜厚度增加，晶粒尺寸逐渐增大。在纳米硅薄膜研究基础上，本文采用CMOS工艺在<100>晶向高阻单晶硅衬底上实现高灵敏度磁传感器芯片制作。室温条件下，利用磁场发生器系统（CH-100）、精密恒流恒压源（PSW80-13.5）和万用表（安捷伦34401A）对磁传感器进行静态特性标定，研究衬底类型、沟道尺寸、纳米硅薄膜厚度、杂质掺杂类型和注入剂量对磁传感器磁灵敏度特性的影响。当沟道长宽比（L/W）、纳米硅薄膜厚度（d）、掺杂类型和注入剂量分别为320μm/160μm、120nm、n型和5×1012cm-2，漏源电压VDS=5.0V时，传感器磁灵敏度最大可达264.2mV/T，其线性度、重复性、迟滞和准确度分别为0.19%F.S.、0.28%F.S.、0.55%F.S.和0.64%F.S.，实验结果表明，该结构实现磁灵敏度提高。