【摘 要】
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由于在非挥发性存储器中具有良好的应用前景,近年来,铁电材料一直是研究的热点。与传统存储器相比,铁电存储器最突出的优点是具有良好的抗辐射性能,这使其特别适合于航空航天和军事领域。研究表明,Pb(Zr,Ti)O3 (PZT)铁电薄膜的抗辐射的总剂量大于5 Mrad(Si),但其抗疲劳性能较差,含铅,会对环境造成污染。Bi4?xNdxTi3O12 (BNT)铁电薄膜是近来研究的热点,不但具有许多优良的铁
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由于在非挥发性存储器中具有良好的应用前景,近年来,铁电材料一直是研究的热点。与传统存储器相比,铁电存储器最突出的优点是具有良好的抗辐射性能,这使其特别适合于航空航天和军事领域。研究表明,Pb(Zr,Ti)O3 (PZT)铁电薄膜的抗辐射的总剂量大于5 Mrad(Si),但其抗疲劳性能较差,含铅,会对环境造成污染。Bi4?xNdxTi3O12 (BNT)铁电薄膜是近来研究的热点,不但具有许多优良的铁电性能,如抗疲劳性能好、剩余极化强度大等,而且与PZT铁电薄膜相比,不含铅,不会造成环境污染。遗憾的是,
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