【摘 要】
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本文采用MPCVD (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition)方法,在硅衬底上沉积多晶金刚石薄膜,通过优化生长条件,成功的制备了直径50 mm,红外透过率接近理论极限值的光
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本文采用MPCVD (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition)方法,在硅衬底上沉积多晶金刚石薄膜,通过优化生长条件,成功的制备了直径50 mm,红外透过率接近理论极限值的光学级多晶金刚石自支撑膜,系统研究了其生长规律及应力、杂质和光学特性。通过在生长气氛中添加少量氮气,实现了同质外延大尺寸CVD金刚石单晶的高速生长,生长速率达到了50μm/h以上,是传统方法生长多晶金刚石膜的10倍左右;研究了CVD金刚石单晶内部的氮分布。
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