近些年由于合格品链长控制技术的发展,将其与传统控制图相结合的合成控制图越来越多。这些合成控制图适用于不同过程偏移,在不同过程状态下其统计性能存在明显差别。在这些合成控制图的基础上,将合格品链长控制技术应用于质量控制图依然存在很大的发展空间值得探索。本文以多种合成控制图统计性能评价和基于SynEWMA控制图的优化两方面展开。在多种合成控制图统计性能评价方面,分别对Syn EWMA、Syn CUSUM、Syn Shewhart三种监测过程均值的合成控制图、Syn R和Syn S两种监测过程标准差和离差的合成控制图、以及Syn EWMA-RSS、Syn CUSUM-RSS、Syn EWMA-MRSS、Syn CUSUM-MRSS四种监测过程均值的新型合成控制图进行基于灵敏性分析的统计性能评价,讨论不同控制图的适用情况以及不同过程偏移下各控制图的统计性能表现,为合成控制图的使用者提供建议。在合成控制图的优化方面,本文建立了一种监测过程标准差的SynEWMA控制图。首先介绍了Syn EWMA标准差控制图的控制原理,给出了Syn EWMA标准差控制图平均运行链长（ARL）以及控制限的计算方法。结合Syn EWMA控制图与EWMA标准差控制图的最优与近最优参数设计,提出了具体的近最优参数设计方法以及近最优参数组合。然后利用蒙特卡洛模拟方法得出不同偏移下Syn EWMA标准差控制图的平均运行链长和运行链长标准差（SDRL）,并分别将该控制图与其他标准差、极差控制图以及其他合成控制图比较,得出该控制图在过程发生微小偏移时与其他标准差、极差控制图相比表现最优。最终以半导体芯片工艺流程的光刻工艺为例,以光刻胶流动宽度为质量特性,利用Syn EWMA标准差控制图进行质量控制以验证SynEWMA标准差控制图的实用性。