AlGaN／GaN异质结构材料体系由于其应用在高温、高频、大功率等方面的优越性，受到越来越多关注，对该材料体系和器件的研究已成为微电子研究领域的前沿和热点。本论文对AlGaN／GaN异质结材料及器件的一些基本特性进行了研究，这些研究包括：通过计算机数值计算模拟了异质结构的二维电子气(2DEG)行为，研究了AlGaN／GaN异质结构的表面势钉扎效应：AlGaN／GaN异质结场效应晶体管(AlGaN／GaN HFET)的一些器件参数；AlGaN／GaN异质结构的热稳定性。研究结果如下： 1)在Matlab环境下，成功地进行了一维薛定谔方程和泊松方程的自洽求解，得到了AlGaN／GaN异质结构界面处二维电子气子能级和浓度的分布以及异质结构导带结构，计算了AlGaN势垒层的极化电荷密度。 2)利用文献中不同研究小组的实验数据，结合计算机模拟计算方法，分析计算AlGaN／GaN异质结构的表面势钉扎效应，结果表明对于MOCVD方法生长的AlGaN／GaN异质结构材料，未能出现文献中报道的1.65eV表面势钉扎。 3)结合实验测得的AlGaN／GaN异质结构肖特基接触的电容-电压(C-V)特性曲线，找到了一种新方法计算AlGaN／GaN HFET的开启电压(V_T)；并在此基础上，分析计算得到了AlGaN／GaN HFET的夹断电压(V_P)。 4)结合计算机模拟，分析了AlGaN／GaN异质结构肖特基接触的热稳定性，研究表明：热处理后的AlGaN／GaN异质结构，肖特基接触势垒高度增大，极化电荷密度和二维电子气密度均降低。