近年来,激光干涉纳米光刻被日益广泛的研究和使用在周期、准周期微纳表面图案的生产制造中。在激光干涉纳米光刻中,决定光刻图案和曝光面积的因素有很多,包括光束入射角、空间角、入射位置、偏振态、相位、光强等。在激光干涉纳米光刻系统中,样品定位环节尤其重要,这方面的工作包括：1.使用高精度、大行程的样品定位平台完成多次曝光增加光刻点密度(插补)和增加光刻面积所需的运动；2.在特定的样品定位技术控制下完成光束入射姿态的检测及校正,光束入射姿态包括光束相对于样品的入射角、空间角及入射位置,它们直接影响光刻图案和曝光面积。本文讨论的是激光干涉纳米光刻样品定位技术与系统,基于激光干涉纳米光刻中样品定位环节的工作内容,研究包括两方面：1.设计了一种在行程、定位精度等各个方面都可以满足激光干涉纳米光刻要求的样品定位平台；2.首创了一种基于光斑检测的样品定位技术。通过理论分析、计算机仿真及应用实验、验证实验等一系列实验,验证了此样品定位技术在对光束入射姿态的检测及校准中有很好的精度和重复性,可应用到实际的激光干涉纳米光刻中。