【摘 要】
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该文概述了光纤通信系统的发展历史、发展趋势和光放大器在未来光纤通信系统中的重要地位,系统地分析了掺铒光纤放大器(EDFA)的结构组成和工作原理,归结了目前EDFA课题研究中
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该文概述了光纤通信系统的发展历史、发展趋势和光放大器在未来光纤通信系统中的重要地位,系统地分析了掺铒光纤放大器(EDFA)的结构组成和工作原理,归结了目前EDFA课题研究中的关键技术问题,比较了不同泵浦波长对EDFA性能的影响,指出了980nm半导体激光器作为EDFA泵浦源的潜在优势.论文系统地分析了量子尺寸效应理论、应变效应理论及其对半导体激光器性能的影响,并详细阐述了利用能带工程研制980nm应变单量子阱激光器的整个过程,提出了详尽的理论计算方法,并得到了实验的验证,为应变量子阱激光器的设计与制作提供了重要的理论指导.芯片的MBE制作工艺采用超晶格缓冲层替代体结构缓冲层来抑制衬底的缺陷在外延过程的生长,并通过利用提高P面欧姆接触层掺杂浓度的方法来降低欧姆接触电阻,取代了常规的半导体激光器制作后工艺中的扩Zn工艺.在器件制作工艺中利用夹层结构氧化膜替代单层氧化膜来提高氧化膜的致密性,抑制针眼的产生,同时通过夹层结构氧化膜对膜层热膨胀系数的调整改善了氧化膜层和激光芯片表面的粘附性.
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