【摘 要】
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近年来，多晶硅薄膜广泛应用于薄膜晶体管(TFTs)和薄膜太阳能电池等各种电子器件，受到人们的普遍关注。在多晶硅薄膜的各种制备技术中，热丝化学气相沉积法(HWCVD)以其低沉积温度、高沉积速率和低成本的特点而被广泛采用。 本文首先综述了热丝化学气相沉积法(HWCVD)制备多晶硅薄膜的发展过程，着重介绍了这种制备方法在近几年的研究进展，并展望了今后发展趋势和前景。在此基础上，本文在制备高质量多晶
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近年来，多晶硅薄膜广泛应用于薄膜晶体管(TFTs)和薄膜太阳能电池等各种电子器件，受到人们的普遍关注。在多晶硅薄膜的各种制备技术中，热丝化学气相沉积法(HWCVD)以其低沉积温度、高沉积速率和低成本的特点而被广泛采用。 本文首先综述了热丝化学气相沉积法(HWCVD)制备多晶硅薄膜的发展过程，着重介绍了这种制备方法在近几年的研究进展，并展望了今后发展趋势和前景。在此基础上，本文在制备高质量多晶硅薄膜方面做了些探索性的工作：在较近的热丝与衬底距离(5mm～10mm)下，在(
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