随着电子技术高速发展,便携式电子产品需要更高性能的电源系统供电。低压差(LDO)线性稳压器,凭借其电路结构简单,占用芯片面积小,低噪声、高纹波抑制等优点,而被广泛应用在锂电池充电,低压数字电路电源等场合下。为了适应电源市场的发展需要,良好的系统稳定性和动态性能成为LDO稳压器的主要研究方向。基于此,本文设计研究了一款低压、低功耗,良好动态响应性能的双环路动态补偿的LDO稳压器。本文首先介绍了电源管理芯片的发展现状,以及LDO稳压器的基础知识和基本性能指标。然后,针对LDO稳压器的性能参数设计阐述LDO稳压器的设计难点和各种折衷关系,并讨论其中关键技术的改进原理和实现。其中,主要包括双环路动态补偿方法对系统稳定性和动态性能的影响,正反馈对动态响应性能的加速和背栅控制对电路负载能力、最小Dropout电压等的改进将重点讲述。再后,介绍带隙基准电路的两种改进措施,包括有效抑制电流失配对基准的影响和实现二阶指数温度补偿等。最后设计实现稳压器整体电路,包括设计实现其中主要的单元模块,并最终给出仿真结果与分析。本文,采用BiCMOS 0.6μm工艺,用HSPICE对稳压器进行全局仿真:最小Dropout电压223 mV,最大输出负载电流为350 mA,线性调整率为0.14%,负载调整率为0.45%,静态电流为25μA。芯片全局仿真结果证明该芯片的设计完全达到了预期的要求。