超深亚微米MOSFET及其模型与模拟

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【摘要】

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当MOSFET进入超深亚微米尺度以后,在器件参数的选取上逐渐逼近其物理极限,进一步缩小MOSFET遇到了一系列的困难;在器件物理、器件结构以及器件的模型和模拟等方面出现了许多

【作者】

：

刘晓彦

【机构】

：

北京大学

【出处】

：

北京大学

【发表日期】

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2001年期

【关键词】

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超深亚微米MOSFET 电荷量子化效应直接隧穿肖特基势垒隧道晶体管蒙特卡罗模拟

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当MOSFET进入超深亚微米尺度以后,在器件参数的选取上逐渐逼近其物理极限,进一步缩小MOSFET遇到了一系列的困难;在器件物理、器件结构以及器件的模型和模拟等方面出现了许多问题.这些问题的解决是超深亚微米MOSFET中的电荷量子化效应、直接隧穿效应、新型高介电常数栅介质MOSFET的模型、模拟和源漏肖特基接触的新结构MOS器件.其目的在于研究适于超深亚微米MOSFET器件结构的模型和模拟方法,为新型MOSFET器件结构的研究提供工具.

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