随着电子信息技术的迅猛发展，电子元器件向集成化和高稳定化方向发展，适用于电子元器件高密度集成和组装的LTCC（Low Temperature Cofired Ceramics）技术的重要性日益凸显。作为LTCC技术的关键部件，LTCC基板需满足低介电常数、低介电损耗、高抗弯强度等要求，以适应高效的信号传输和高布线密度。钙铝硼硅/氧化铝玻璃陶瓷在满足上述要求的同时，还具有无铅环保的特点，成为现阶段的研究热点之一。本文以钙铝硼硅/氧化铝玻璃陶瓷为研究对象，分别制备了晶化玻璃陶瓷和非晶化玻璃陶瓷，研究其微观结构、物相组成、介电性能及抗弯强度等性能。针对晶化玻璃陶瓷，首先研究了玻璃组分和玻璃粒径对玻璃陶瓷性能的影响，发现当玻璃组分中CaO/Al2O3为1.67，玻璃粒径为1.58μm时，玻璃陶瓷性能最佳：致密温度为875℃，介电常数为7.88，介电损耗为0.0011，抗弯强度为161Mpa。为进一步优化玻璃陶瓷性能，研究了不同氧化铝含量和氧化铝粒径对材料微观结构、介电性能和力学性能的影响，发现当氧化铝含量为50wt%，氧化铝粒径为2.6μm时，玻璃陶瓷的介电性能最好：介电常数为7.88，介电损耗为0.0011；氧化铝粒径为4.7μm时，玻璃陶瓷的抗弯强度最高为174MPa。针对非晶化玻璃陶瓷，本文研究了氧化铝含量和玻璃组分对玻璃陶瓷性能的影响。结果表明：当氧化铝含量为50wt%且玻璃组分中SiO2/B2O3为3.34时，玻璃陶瓷可在875℃致密烧结，介电常数为7.24，介电损耗为0.0032，抗弯强度为187Mpa。将该实验结果与三种商业化产品进行对比，发现自制样品的致密度和成分均匀性上欠佳，有待在实验配方和工艺上进行深入研究和进一步改进。