铌酸锂和钽酸锂晶体具有优良的电学及光学性能,已经在全息存储和准相位匹配等方面得到了广泛的应用。然而铌酸锂和钽酸锂晶体在高光强照射的情况下会产生光致散射,导致全息存储图像质量严重下降。同时铌酸锂和钽酸锂晶体高的矫顽场使其很难在常温下实现周期极化,使周期极化工艺变得复杂。本文采用掺杂ZnO的方法提高晶体的抗光致散射能力和降低晶体的矫顽场。本文采用最优的工艺参数,利用提拉方法,从中频加热炉中生长出无明显宏观缺陷、光学均匀性好的同成份Zn:LiNbO₃和Zn:LiTaO₃单晶。生长出晶体的尺寸为Φ40×20mm。通过气相交换平衡（VTE）技术制备了近化学计量比铌酸锂和钽酸锂晶片。X射线粉末衍射实验结果表明同成份Zn:LiNbO₃和Zn:LiTaO₃晶体掺Zn后晶格结构未有变化。对Zn:LiNbO₃和Zn:LiTaO₃晶体的晶胞参数进行计算后发现,晶格常数随着ZnO含量的增加而增加。Zn:LiNbO₃或Zn:LiTaO₃晶体的紫外吸收边和红外吸收峰的变化机理也在本文中被讨论。分析显示LiNbO₃晶体中掺入Zn2+离子优先取代反位铌（ Nb L4+i）。当ZnO含量达到其阈值浓度后,所有的反位铌被完全取代,Zn2+离子开始同时占据正常的锂和铌位,形成（ Zn 3N-b-3 Zn +Li）自补偿结构。而对于LiTaO₃晶体,当掺入ZnO掺杂量小于阈值浓度时,Zn2+首先取代反位钽（ Ta L4+i）的位置,当超过阈值浓度后Zn2+开始取代正常晶格的Li位。利用差热分析测试Zn:LiNbO₃和Zn:LiTaO₃晶体晶体的居里温度,发现当ZnO含量低于其阈值浓度时,晶体的居里温度随ZnO含量的增加而上升。相反地,当ZnO含量达到其阈值浓度后,其居里温度开始下降。测量了Zn:LiNbO₃和Zn:LiTaO₃晶体的铁电性能,自发极化对ZnO含量变化不敏感。电滞回线测试结果呈现明显的不对称性,即晶体存在内场。通过同成份与化学计量比LiNbO₃和LiTaO₃晶体的矫顽场和内场相比较可以得出,同成份晶体中高的矫顽场和内场是由晶体的本征缺陷造成的。晶体的矫顽场和内场对ZnO含量的变化十分敏感。利用二波耦合实验测试了同成份和近化学计量比Zn:LiNbO₃和Zn:LiTaO₃晶体的光折变性能,如衍射效率、光折变响应时间及擦除时间。实验结果表明随着ZnO含量的增加,晶体的光电导增加,晶体的衍射效率降低,光折变响应速度变快,同时擦除时间也缩短。近化学计量比晶体的衍射效率要低于同成份晶体衍射效率,光折变响应时间及擦除时间也小于同成份晶体。利用透射光斑畸变法测试了Zn:LiNbO₃和Zn:LiTaO₃晶体的抗光致散射能力。纯的LiTaO₃要比LiNbO₃晶体抗光致散射能力高二个数量级。当ZnO掺杂进入晶体后,掺杂量低于其阈值浓度时,晶体的抗光致散射能力变化不大。相反地,当ZnO掺杂量达到其阈值浓度后,晶体的抗光致散射能力显著增加,与同成份晶体相比提高了二个数量级。近化学计量比铌酸锂和钽酸锂晶体的抗光损伤性能要明显优于同成份的铌酸锂和钽酸锂晶体。分析表明光电导是晶体抗光致散射性能变化的重要原因。