近几年我国CMOS集成电路(IC)因国内巨大的市场需求和政府的有力扶持得到了高速的发展,大大地缩短了与国外同行的差距,然而标准的CMOS工艺只适用于低压、低功耗和大规模集成的电路,在需要更高耐压和功率的应用领域,BiCMOS和BCD工艺则更为合适。BiCMOS是Bipolar和CMOS工艺的集合体,BCD工艺则是在BiCMOS基础上又增加了DMOS器件,它们既能利用CMOS工艺的优点,也能发挥Bipolar和DMOS器件的长处,只是工艺相对比较复杂,相对于国外已经发展了7、8代的BCD工艺来说,国内目前尚处于起步阶段,有着比较大的差距。LDMOS即通过双扩散形成横向沟道结构的高压功率MOS,因其工作频率高,输入阻抗高、电流增益大,跨导线性高,负的电流温度系数,以及因源、漏、栅三个电极均位于芯片表面,易于在平面工艺中通过内部连线与低压器件集成等优点,在高压集成电路(HVIC)和功率集成电路(PIC)被作为功率器件广泛使用。在工艺上通常会采用场板和resurf技术来提高LDMOS器件的性能,但是作为功率器件,其耐压和导通电阻在工艺上始终是一对矛盾,另外和所有的MOS器件一样,它也同样面临着尺寸缩小带来的器件参数退化问题。本文作者通过对公司0.6um BCD产品的测试并借助工艺与器件模拟软件,对该工艺中低压、中压、高压等不同耐压要求的LDMOS管,在N阱(包括N淡阱)、Pbody、Vt调节注入等工艺参数,在高边(high side)、低边(low side)等不同应用条件下器件的不同结构类型的选择、以及横向结构参数的进一步优化,在器件源端版图的画法等方面都做了一些尝试、得出了一些结论,并且提出了自己的一些建议,希望对读者能有所帮助。