Keggin结构三缺位杂多阴离子的钠盐在水溶液中存在形式受pH值影响很大，根据pH值的不同，产生不同的水解产物。因此，在四丁基溴化铵作相转移剂的情况下，以三缺位杂多阴离子α-A-XW₉O₃₄^n-（X=P，Si，Ge）和RSiCl3（R=C6H5，CH3，C2H5，C2H3）或（C6H5）2SiCl2为原料于乙腈中成功合成了三缺位杂多阴离子的有机硅衍生物，并由元素分析、红外光谱、紫外光谱、X-射线单晶衍射对化合物进行了表征，研究了化合物的热性质。本文分为五章，现分别介绍如下： 第一章 三缺位杂多阴离子α-A-XW₉O₃₄^n-（X=P，Si，Ge）的甲基硅衍生物的合成，表征和晶体结构 以β-A-PW₉O₃₄^9-，XW₉O₃₄^10-（X=Si，Ge）阴离子和CH3SiCl3为原料于乙腈中合成了三缺位杂多阴离子的甲基硅衍生物，并由元素分析、红外光谱、紫外光谱对化合物进行了表征，测定了（TBA）3[α-A-PW₉O₃₄（CH3SiO）3（CH3Si）]（TBA为四丁基铵盐的缩写）的单晶结构，研究了化合物的热性质。单晶结构分析结果表明，（TBA）3[α-A-PW₉O₃₄（CH3SiO）3（CH3Si）]化合物属正交晶系，空间群Pca21，晶胞参数a=25.761（5）（?），b=14.519（3）（?），c=24.396（5）（?），α=β=γ=90°，V=9124（3）（?）3．Z=4，R=0.0561。该化合物的阴离子是由一个α-A-PW9单元，通过六个W-O-Si桥键与三个CH3SiO单元相连，三个CH3SiO单元又通过Si-O-Si桥键与另外一个处于帽位的CH3Si相连，形成一个饱和的闭合笼形结构。 第二章 三缺位杂多阴离子α-A-XW9O34n-（X=P，Si，Ge）的苯基硅衍生物的合成，表征和晶体结构 以β-A-PW9O349-，XW9O3410-（X=Si，Ge）阴离子和C6H5SiCl3为原料于乙腈中合成了三缺位杂多阴离子的苯基硅衍生物，并由元素分析、红外光谱、紫外光谱对化合物进行了表征，测定了（TBA）3[α-A-PW9O34（C6H5SiO）3（C6H5Si）]·2H2O 的单晶结构，崛了化合物的热性质．单晶结构分析结果表明该化合物属三方晶 系，空间群R3，晶胞参数a二14．1696（16）人b二14．2163（16）人 ＊＝14 互661 （16）人，一99．801（17）”，p＝99．843（二刀”，Y＝99．844（17）”，V＝2711．l（5）人’． Z二二，R＝0刀5轮．该化合物的阴离子是由一个OA－PW单元，通过六个V卜一口一历 桥键与三个C6HSSIO单元相连，三个C6HSSIO单元又通过SIO－－Si桥键与另外 一个处于帽位的C6HSSi相连，形成一个饱和的闭合笼形结构． 第三章 三缺位杂多阴离子 a从I 9一的乙烯基硅衍生物的合 成，表征和晶体结构 以 p－A－PWO／阴离子和 CZH币。为原料于乙腾中合成了该三缺位杂多 阴离子的乙烯基硅衍生物，并由元素分析、红外光谱、紫外光谱对化合物进行 了表征，测定了（TBA）［Q，H－PWgO34a c 的单晶结构．单晶结构 分析结果表明该化合物属正交晶系，空间群k；，晶胞参数 a＝26．548m人 b” ＝14．423（3）人，C＝24．387（5）人o＝＊Y＝90”，V＝9338（3）人’．ho，R＝0．0500． 该化合物的阴离子是由一个a－A－PW。单元，通过六个WO－－Si桥键与三个 CZH3SIO单元相连，三个CZH3SIO单元又通过St—OJ桥键与另外一个处于帽位 的CZH3Si相连，形成一个饱和的闭合笼形结构． 第四章 三蹦杂多阴离子 a－A－XWgO34 n（＝P，St，Ge）的茸基 硅衍生物的合成和表征 以卜APWOJ，XWO。。‘“（J，Ge）与a。HS）币 为原料于乙睛中合成 了三缺位杂多阴离子的二苯貉衍生物，并由元素分析、红外光谱、紫外光谱 对化合物进行了表征．结果表明，在化合物(hA八p－A－PWgON（a6H。）庐川中， 二苯基硅通过六个SIO－W桥键填充到三缺位杂多阴离子的骨架上，形成了开环 的饱和笼形结构．热分析结果表明，该化合物的热懈温度在387．6t左右． 2 第五章HSGaW12O40的制备和晶鹏构 合成和表征了镰钨酸HSGtwlZO4O．镰钨酸HSGawlZO40以无色八面娜状从 乙睛溶液结晶出来．单晶结构分析结果表明该化合物属单斜晶系，空间群Cm，晶 胞翻a ＝＝ 17．691（4人 b二 25、065（5）人。王 15．315（3）人 p＝ 125．ZI（3）”，V＝ 5548．5＊）扩，Z＝2．该化合物的晶体由GaW；刃／和W构成，阴离子 GawlZO广为具有Keggin结构的独立单元．