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铁电薄膜存储器具有高存取速度、高密度、抗辐射和不挥发等特点,引起了人们广泛的研究兴趣。应用于非挥发性存储器的铁电薄膜必须满足极化反转多次(≥1012)而不发生存储单元失效的要求。铁电薄膜的极化疲劳是导致存储单元失效的最重要的因素之一,人们进行了大量的研究来探寻极化疲劳的机理,然而至今仍没有一个令人满意的物理模型。本论文的工作主要是通过总结分析铁电薄膜极化疲劳的典型实验现象和已有的各种解释,提炼出极化疲劳的微观物理图像,建立合理的极化疲劳模型。研究了PZT铁电薄膜的极化疲劳机制