标准单元库作为数字电路设计的基础,其性能的改善对整体电路性能的提高有着十分重要的作用。在深亚微米工艺下,特别是在130nm以下制程中随着制造中效应的引入,我们不得不对在电路设计和版图中对此加以考虑；随着对电路功耗越来越高的要求,在数字电路设计中引入了多阈值电压技术和电源门控(Power Gating)技术。以上这些都对标准单元库的设计和优化产生了重要影响。本文以中芯国际深亚微米标准单元库为基础,首先对标准单元库的组成进行了简要介绍；本篇论文对标准单元库优化的多个领域,包括传统上的多阈值电压标准单元库,尺寸比例优化、P管、N管宽度比例优化,以及对于深亚微米工艺下影响标准单元性能的如STI、WPE效应等进行了分析。对于在深亚微米时代,电路愈加复杂,电路功耗管理的要求越来越高的趋势,本文在最后一章,重点对现今业界较为流行和新颖的Power Gating技术进行了分析,对其关键单元提出了优化方法,使得在版图面积,功耗和制造成本上给使用者更多选择和均衡的空间。以上优化均通过了SPICE仿真,或者流片测试进行了验证。通过本论文的介绍希望能够抛砖引玉,在综合论述分析标准单元库各个方向上优化方法的基础上,对标准单元库设计者和使用者提供一些有益的参考。