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半导体材料的非线性光学吸收性质已经持续多年成为光学以及新功能材料领域的研究热点并被不断挖掘应用到实际器件中。例如,饱和吸收性质已经被广泛应用在激光物理中,如锁模、光学双稳器件等。双光子吸收和反饱和吸收也被应用在光开关以及光限幅器件等。因此,本文对半导体材料氮化铟薄膜的非线性吸收性质的研究有着实际的意义。在各种不同的研究非线性材料光学性质的实验方法中,Z扫描被认为是一种测量非线性参数最简单并且最准确的手段之一。通过这种技术我们既可以得到非线性吸收系数以及非线性折射率的符号又可以同时得到其数