多晶CuInSe<,2>(简称CIS)材料,在薄膜太阳电池中具有重要的应用.CIS材料的特性对电池的性能有至关重要的影响,而GIS材料的性能与它的生长机理密切相关.该论文尝试利用一个精心设计的多层膜Cu/In/Se/Cu/In/Se/Cu/In/Se系统,来模拟溅射硒化法制备的CIS的形成过程,利用DSC和XRD等测试手段,对物相的演变过程进行跟踪,并研究了影响CIS薄膜生长的主要因素.研究发现,(1)CIS的生长过程可分为三个阶段:第一个阶段就是从室温升温至Se熔化前,这个阶段是由单质物相向二元相演化的阶段;第二个阶段是从Se熔化后非稳定的三元相形成到CuInSe<,2>的形成;第三个阶段是CuInSe<,2>的晶粒长大阶段.(2)溅射硒化法制备的CIS物相形成的连接线是CuSe-InSe.(3)In的损失与生长过程密切相关,In的绝大部分损失在157℃至400℃之间,也就是在In熔化到CuInSe<,2>形成之间.(4)用多层膜模拟系统得到的结论与溅射硒化法制备CIS薄膜的结果是一致的.