【摘 要】
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该文研究抛物量子阱(PQW)结构中电子-光学声子相互作用对电子和空穴态的影响,进而讨论电子和空穴极化子态.在有效质量近似下,根据形成抛物阱的方式不同,对GaAs-AlGaAs交替生
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该文研究抛物量子阱(PQW)结构中电子-光学声子相互作用对电子和空穴态的影响,进而讨论电子和空穴极化子态.在有效质量近似下,根据形成抛物阱的方式不同,对GaAs-Al<,x>Ga<,1-x>As交替生长和Al<,x>Ga<,1-x>As组分沿生长方向连续变化这两种不同结构的"组分"抛物量子阱,分别假定电子(空穴)质量为固定值和随生长方向的坐标连续变化.关于电子-声子(e-p)作用,我们不仅考虑了阱内局域的体纵光学(LO)声子和垒LO声子,同时还计入较为复杂的界面光学(IO)声子的影响.在计算中,首先通过幺正变换简化e-p作用,再用变分理论计算极化子能量.在解析推导的基础上,对不同厚度的PQW结构进行数值计算,获得了关于电子和空穴自由极化子和束缚极化子基态、激发态能和跃迁能量的新结果.理论结果与实验进行了比较.
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