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氮化铝薄膜具备其它Ⅲ-Ⅴ族金属化合物薄膜所不具备的很多优良性能。AIN薄膜在发光器件与敏感器件,高功率与高温电子器件、纳米技术、微电子技术、声学技术、多层膜复合材料等领域都有很广泛地应用。所以制备出高质量的氮化铝薄膜并研究其特性具有很重要现实意义。本文在国产OLED多功能多元镀膜系统中采用射频磁控溅射法,经过这系列的实验得出了射频磁控溅射法制备AIN薄膜的最佳工艺。选取纯度为99.99%的氮化铝靶材,直接轰击AIN靶材制备薄膜,通过多次改变工作气体总压强和溅射功率等溅射沉积参数在普通Si基底上沉积AIN薄膜。最终在工作气体总压强为1.0Pa,基底温度为200℃,溅射功率为230W的工艺条件下制备出具有优良择优取向的AIN薄膜。将制备的高质量薄膜样品分别在600℃、800℃、1000℃的条件下退火处理30min,并使用D/max-rB型X射线衍射仪对600℃、800℃、1000℃退火前后的AIN薄膜进行测试分析。结果表明氮化铝有择优生长的径向,经过800℃退火处理后薄膜的颗粒有所增大,结晶性更好。用NanoscopeⅢ型原子力显微镜分别对600℃和800℃退火前后的AIN薄膜表面进行扫描,结果表明600℃退火后薄膜表面没有明显变化,氮化铝晶粒尺寸比较小；800℃退火后薄膜表面相对平整,晶粒尺寸也相对变大,晶粒重新结晶,薄膜结晶度更好。用德国SENTECHSe400激光椭偏仪测量退火前后薄膜样品的折射率,经过退火处理后,薄膜的折射率从退火前的2.115增大到2.365。使用Quanta200型扫描电子显微镜对薄膜样品进行成分分析,从能谱图中得出样品中N元素和Al元素比例接近1：1。