随着现代通信技术的飞速发展,微波技术向着更高频率的方向发展,同时微波电子元器件也不断呈现出高频化、集成化的特点,低介电微波介质陶瓷材料受到了越来越多的关注。本文系统研究了（1-x）Zn Al2O4-x Li4/3Ti5/3O4、Li4x/3Zn2-2x Ti1+2x/3O4、Li_4x/3Mg_2-2xTi_1+2x/3O₄、Ba₄CuTi₁₁O₂₇等低介电微波介质陶瓷的制备及性能,探究了Li₂ZnTi₃O₈、Li₂MgTi₃O₈陶瓷的工艺优化,并对上述陶瓷与Ag电极的低温共烧进行了初步探讨。（1）利用固相反应法制备了（1-x）ZnAl₂O_4-xLi_4/3Ti_5/3O₄（ZALT）（x=0.2,0.4,0.6,0.8）微波介质陶瓷。X射线衍射数据显示,Li₄Ti₅O₁₂和Zn Al2O4不能形成固溶体。随着x从0.2增加至0.8,ZALT陶瓷的相组成发生了如下变化:（Zn Al2O4和Li₂ZnTi₃O₈,x=0.2,0.4）→(Zn Al2O4,Li₂ZnTi₃O₈和Li₄Ti₅O₁₂,x=0.6)→(Li₂ZnTi₃O₈和Li₄Ti₅O₁₂,x=0.8)。随着x值的增加,烧结温度从1275°C降低到1075°C。ZALT陶瓷的微波介电性能表现为,ε_r:11.0²9.0,品质因数Q×f值:6,090⁶5,580 GHz,温度系数τ_f值:-62.9^-5.7 ppm/°C。（2）通过传统的固相法分别制备了Li_4x/3Zn_2-2xTi_1+2x/3O₄（0.2≤x≤0.8）（LZT）、Li_4x/3Mg_2-2xTi_1+2x/3O₄（0.2≤x≤0.8）（LMT）微波介质陶瓷。XRD分析表明,当0.2≤x≤0.4时,样品分别表现为Zn2Ti O4结构、Mg2Ti O4结构的固溶体,当0.6≤x≤0.8时,固溶体的结构分别改变为Li₂ZnTi₃O₈结构、Li₂MgTi₃O₈结构。随着x值的增加,陶瓷的烧结温度有所下降,其温度系数τ_f值从较大的负值增加到接近于零。LZT、LMT陶瓷均表现优异的微波介电性能（LZT:ε_r:12.6²6.3,Q×f:7930130560GHz,τ_f:-49.0^-14.0ppm/°C;LMT:ε_r:11.6²9.3,Q×f:22000～172670GHz,τ_f:-48.9^-3.9 ppm/°C）。此外,LZT（x=0.8）、LMT（x=0.8）分别可以在925℃、950 ℃与Ag粉具有很好的化学兼容性。（3）系统研究了原材料预处理对Li₂ZnTi₃O₈陶瓷、Li₂MgTi₃O₈陶瓷的显微结构、烧结特性及微波介电性能的影响,恰当的原材料预处理使得陶瓷在一个较低的温度区间（Li₂ZnTi₃O₈:950¹050 ℃,Li₂MgTi₃O₈:925¹075 ℃）获得高的品质因数,改善了陶瓷的烧结特性,降低其烧结温度,而且在一定程度上也对其τ_f值进行了调节。950 ℃烧结的Li₂ZnTi₃O₈陶瓷与925 ℃烧结的Li₂MgTi₃O₈陶瓷均能够能与Ag共烧兼容,并表现出优异的微波介电性能:ε_r=25.8,Q×f=74,200 GHz,τ_f=-13 ppm/℃（Li₂ZnTi₃O₈）;ε_r=27.0,Q×f=58,480 GHz,τ_f=0.45ppm/℃（Li₂MgTi₃O₈）。（4）采用固相反应法制备了新型Ba₄CuTi₁₁O₂₇低烧微波介质陶瓷,通过Rietveld法对975 ℃烧结的样品进行XRD精修,可以确定这个纯化合物为单斜晶相,空间群为C12/m,其相结构为Ba₄CuTi₁₁O₂₇,可靠因子分别为RWP=6.1%,RP=4.6%,RB=3.1%。当烧结温度为975 ℃时,陶瓷具有较为优异的微波介电性能:ε_r³6.3,Q×f¹5,040 GHz,τ_f¹1.9ppm/℃。Ba₄CuTi₁₁O₂₇在950 ℃时也表现出较好的微波性能,并且可以与Ag电极表现出良好的化学兼容性。