无线通信的快速增长为射频集成电路带来了巨大的市场需求。随着CMOS工艺特征尺寸的不断减小, MOS场效应管的特征频率已经超过了100GHz,这使得CMOS工艺成为射频集成电路设计的一个重要选择。为了提高市场竞争力,采用具有高集成度、低成本、低功耗和易于系统集成等优点的CMOS工艺进行射频集成电路设计已成为近几年射频集成电路设计的热点。然而,采用CMOS工艺进行射频集成电路设计面临着众多挑战。其中很重要的一点就是缺乏准确的模型。为了缩短射频集成电路的设计周期,减少产品进入市场的时间,开展CMOS工艺射频MOS场效应管模型研究,为CMOS射频集成电路设计者提供准确的射频MOS场效应管模型具有重要意义。目前国际上0.13μm CMOS工艺射频MOS场效应管模型,特别是针对射频应用的模型,还不完善。基于这种背景,本文将开展针对射频应用的0.13μm CMOS工艺射频MOS场效应管模型的研究。论文首先对模型研究的背景进行了介绍,包括MOS场效应管模型的历史、发展趋势和要求等,并归纳了模型的研究流程。其次,对MOS器件进行了简要的介绍,分析了器件尺寸减小对器件性能的影响。接着,采用0.13μm CMOS工艺进行了射频MOS场效应管的版图优化设计,并对器件进行了准确的特性表征。最后,采用等效电路模型对0.13μm CMOS工艺射频MOS场效应管的小信号特性进行了准确的模拟,提出了改进的参数提取方法并通过测试数据进行了验证。