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<正>基于硅平面工艺技术开展了PIPS探测器研制,采用晶向N(111)、厚度300μm的4英寸高阻硅片制备了面积10 mm×10mm和φ20 mm等几种规格的探测器。测试结果表明,在室温条件和全耗尽情况下,探测器暗电流达到了1 nA/cm~2左右的较好水平。初步对φ20 mm探测器进行了α粒子能量响应测试。能谱测量在真空室和室温环境下进行,选择合适的准直器,得到能谱图如图1所示,测试使