CVD法制备高性能SiC连续纤维技术

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随着宇航和航空工业的发展,迫切需要低相对密度、高强度、高模量和耐高温的工程材料。碳化硅(SiC)因其具有优异的低密度、低热膨胀系数、高强度、高硬度、高模量、高的热稳定性以及对氧化的良好抗力,使它成为高温复合材料增强纤维极具吸引力的候选者。采用化学气相沉积法(CVD)制备的SiC纤维,国际上已有商品化产品,而在我国CVD法SiC纤维的研究还处于起步阶段,并且性能上远远落后于国外同类产品,所以开展对CVD-SiC纤维的研究很有必要。 本实验采用高频加热14μm钨丝,在W基体上沉积SiC。结果表明:沉积温度是影响SiC纤维性能的重要因素,在沉积温度为1150℃时,SiC晶粒呈明显的择优生长状态。氩气、氢气、硅烷浓度、沉积时间都会对纤维性能造成不同程度的影响。采用合理的实验优化设计方案,得出在本实验条件下能得到较好的表面形貌和性能的工艺条件为:沉积温度为1150℃,控制沉积纤维走丝的电机电压(沉积时间)为2.5V,H2流量为1.7L/min,甲基三氯硅烷与甲基二氯硅烷的摩尔比为2:1,Ar流量为1.25 L/min。 观察了SiC纤维的表面微观形貌,分析了各工艺参数对纤维的力学性能以及表面形貌的影响、纤维的表面形貌和力学性能之间的关系,对SiC纤维进行成分分析,测定了纤维的拉伸强度。实验结果表明,SiC纤维的强度服从威布尔分布,强度与纤维表面微观形貌有着密切的关系,纤维中杂质元素(如氧)与其它缺陷的存在能显著降低纤维的强度。 在SiC纤维表面沉积了C涂层,表面涂C使SiC纤维表面致密光滑,弥合了纤维表面的孔隙、微裂纹等缺陷。表面涂C后SiC纤维的抗拉强度(2832.78Mpa)比涂C前(1896.74 Mpa)提高了1000MPa左右,且明显减少了纤维强度的分散性,Weibul模数明显提高。
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