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NF3是半导体工业大量使用的清洗气和蚀刻气,SF6是现阶段最佳的气体灭弧介质,两者均有较高的温室效应潜值(GWP),如SF6的GWP为22800,寿命约3200年。在无水条件下,NF3和SF6与金属氧化物直接反应生成金属氟化物,是消除NF3和SF6的有效方法。本论文考察了NF3在MgO、Al2O3系列脱氟剂上的无水分解反应,以及无水条件下SF6在NaF-Si-MO(金属氧化物)三元混合物上的分解反应。用BET、XRD、EDX等手段对反应前后的脱氟剂进行结构表征,得到以下结果:(1)400℃反