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近年来,一种基于钙钛矿晶体类型的CH3NH3PbX3（X代表卤族元素）材料引起了广泛关注。通过置换卤族元素X,可以得到CH3NH3PbI3、CH3NH3PbBr3、CH3NH3PbCl3三种目前最常见的钙钛矿材料,其禁带宽度分别为1.5 eV、2.3 eV和3.1 eV。钙钛矿材料CH3NH3PbI3的吸收系数高达105,光致发光量子效率高、价格低廉、能够用溶液法制备,非常适合卷对卷（Roll-to-roll）大规模生产。这些优点使得钙钛矿材料广泛应用于薄膜太阳能电池和电致发光器件中。本论文以溴基钙钛矿材料（CH3NH3PbBr3）为基础,制备了 PIN平面异质结发光二极管,通过引入空穴传输层聚（3,4-乙烯二氧噻吩）/聚（苯乙烯磺酸）（PEDOT:PSS）及氧化镍（NiO）、电子传输层氧化锌（ZnO）和阻挡层聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）来制备不同的发光器件,通过优化得到了高亮度的绿光发光。我们共制备了三种类型发光器件,其结构如下:（A）ITO/PEDOT:PSS/CH3NH3PbBr3/PMMA（0,1,2,3,4 Layer）/ZnO/In（B）ITO/PEDOT:PSS/CH3NH3PbBr3/PMMA/In（C）ITO/NiO/PEDOT:PSS/CH3NH3PbBr3/PMMA/ZnO/In我们发现:（1）以PEDOT:PSS作为空穴传输层,ZnO作为电子传输层,分别制备了含有不同层数PMMA阻挡层的器件（A）。结果发现,PMMA材料覆盖在钙钛矿上能极大减小薄膜粗糙度,降低器件漏电,提高器件发光效率。（2）如器件（B）结构所示,若去掉电子传输层ZnO,我们发现器件的发光亮度有较大程度降低,说明ZnO电子传输层能提高器件的性能,增强器件发光效率。（3）若将NiO和PEDOT:PSS杂化共同作为空穴传输层,如器件（C）结构所示,我们发现,虽然引入NiO使得器件发光亮度提高了,但是增加NiO层却导致器件的串联电阻增大,故导致器件工作时温度升高而导致光衰减严重,影响器件的发光性能。