铜铟镓硒（Cu（In,Ga）Se2,简称CIGSe）薄膜太阳能电池具有高辐射耐受性、高光电转换效率等竞争优势。目前为止,CIGSe器件的最高转换效率已经达到了23.35%。制备CIGSe薄膜的方法有真空法和非真空法,后者中的电沉积法,可大大降低生产成本,具有很大的发展潜力。电沉积预制层后硒化工艺制备的CIGSe薄膜太阳能电池最高效率达到了17.3%。本论文采用电沉积法制备CIGSe薄膜,通过Ag元素掺杂技术,改善了电沉积法制备CIGSe薄膜的质量,提高了器件性能。主要研究内容如下:在电沉积过程中,在Mo背电极沉积Cu薄膜易生成“树枝状”团簇,导致Cu层粗糙度大,造成CIGSe薄膜的成分均匀性差,而光滑且致密的CIGSe薄膜对于制备高质量太阳能电池至关重要。本文通过在Mo薄膜表面沉积Ag层作为缓冲层,对比浸泡法和电沉积制备Ag层的粗糙度及结晶度,在Mo表面获得了光滑致密的Ag层。通过Mo/Ag/Cu这一结构设计,成功消除了Cu薄膜在Mo层的“树枝状”形貌。同时改善了In在形核时出现的“岛状”形貌,减小了晶粒间沟壑面积,得到了较为致密的In层薄膜。电沉积Ga时出现剧烈的析氢反应,降低了电流效率,导致了晶粒表面出现大量凹陷。通过调整Ga电镀液的电镀温度,发现在低温下可抑制析氢现象,提高了电流效率,得到了高质量的金属预制层。在Ag/Cu/In上沉积Ga层,也可以有利于抑制这一析氢现象。电沉积制备的金属预制层在300℃下退火30min进行合金化,进而研究衬底温度及热处理时间对CIGSe吸收层薄膜结构及形貌的影响。研究表明,相比于未掺Ag的CIGSe薄膜,有Ag缓冲层的ACIGSe薄膜的结晶度有所提高,晶粒尺寸明显增大。并且Ag的掺入可有效降低预制层与Se的反应温度,提高合金化程度。最后发现ACIGSe薄膜太阳能电池的VOC、JSC、FF和光电转换效率均高于CIGSe太阳能电池,最高效率达到11.73%。高效率的ACIGSe电池的开路电压较低,因此本文对ACIGSe薄膜进行了表面硫化处理,通过在薄膜表面反应形成(Ag1-x,Cux)(In1-y,Gay)(Se1-z,Sz)2（ACIGSSe）来提高表面带隙,进而提高器件的开路电压,硫化后ACIGSe薄膜太阳能电池的提升至520 mV。