在过去的十几年里,基于Si的SiGe异质结双极晶体管(HBT)技术取得了快速进展,SiGe HBT的性能远远优于Si BJT,并在某些方面优于AlGaAs/GaAs HBT、GaAs MESFET,所以SiGe HBT具有广阔的应用前景.器件被广泛应用的前提是其可靠性问题,而当前的研究主要集中在提高器件性能参数上,对其可靠性的研究还很少,对失效现象和失效机理还不明了.针对这一点,该文对SiGe HBT的可靠性进行了研究,总结如下:首先,该文对SiGe HBT进行三种电应力加速实验:OC应力(集电结开路,发射结反向偏置)方法,FC应力(集电结正向偏置,发射结反向偏置)方法,SC应力(集电结短路,发射结反向偏置)方法.实验表明,三种应力下,器件的退化与注入的热载流子的数量、能量以及类型有关,与基区复合增强杂质扩散有关.其次,该文还对SiGe HBT进行了高温存储(热应力)、高温存储并加OC电应力(热电组合应力)实验.我们发现在高温存储条件下,随着应力时间的增加,在电流增益β下降的同时,BC结的导通电压增加,而BE结结特性变化甚微,这可能与器件在集电结侧发生了基区杂质外扩有关.在高温存储与OC电应力同时存在的条件下,随着应力时间增加,电流增益β比只有热应力时下降速度更快,这主要是由IB的增加引起的,这可能与基区的缺陷增加导致少数载流子扩散长度减少有关.最后,该文也对SiGe HBT的温度特性进行了研究,并给出了器件在23℃~260℃的温度范围内器件参数的变化情况.得到了实验中Si/Si<,0.85>Ge<,0.15>/Si HBT的BE结导通电压随温度的变化率dV<,BE>/dT为-1.5mV/K,比Si同质结(Si BJT)的-2mV/K小,并据此得到了实验中Si<,0.85>Ge<,0.15>材料在绝对0度时的禁带宽度Eg<,-siGe>=1.09 eV;还据此证明了SiGe HBT适合微波功率应用.