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二氧化锰由于其成本低廉、理论容量大、工作温度范围宽、等优点,被认为是一种较理想的超级电容器电极材料。但是二氧化锰本身存在电导率低、实际比容量小、比表面积小、循环稳定性差等问题,限制了其在超级电容器中的广泛应用。因此,提高二氧化锰导电性能和比容量,以及提高二氧化锰的比表面积及材料利用率具有十分重要的意义。本文以TEOS为硅源,CTAB为表面活性剂制备介孔二氧化硅MCM-41粒子,采用水解法制得介孔二氧化硅MCM-41载体,之后以SnCl_4与Fe Cl_3为掺杂改性材料,采用共沉淀法和高温煅烧法制得F