RF (Radio Frequency)功率器件是无线通信技术的重要基础。射频功率LDMOS(Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)被广泛应用于无限通信的窄带和高增益技术中,被认为是一种很成功的射频功率器件,有如下优点:(1)在大电流范围内的跨导保持较大并为常数,故线性放大的动态范围较大,并在较大输出功率时能有较大的线性增益;(2)交叉调制失真较低;(3)较高的性价比。然而LDMOS的寄生输出电容又会直接影响器件的输出特性,包括功率增益、附加功率效率等,使输出匹配的设计更为困难。SOI(Silicon on insulator)-LDMOS不仅具有良好的绝缘性能、较小的寄生电容和泄露电流,提高功率增益和耐高温操作性能,而且工艺与SOI-CMOS工艺兼容,相对体硅LDMOS工艺更加简单。本文采用二维器件仿真软件ISE对通过数学建模估算的器件参数进行模拟优化,确定器件的结构参数。采用ISE建立器件模型,对器件的电学特性进行模拟分析,并研究了器件的参数对输出特性的影响。模拟发现,器件具有较好的直流输出特性,较低的寄生电容,较高的截止频率。最后对SOI器件的失效机理及抑制方法进行了详细的讨论。为了提高器件在高压高频领域的应用,学者提出了各种各样的结构。本文研究了采用在源区下衬底埋p型层和部分埋氧层下埋n型层的DBPSOI-LDMOS结构。重点讨论了DBPSOI-LDMOS结构的击穿特性和输出电容特性。通过模拟,我们发现与传统SOI-LDMOS相比,DBPSOI-LDMOS结构的击穿电压更高,频率特性更好。