该文用相场法研究了Al<,2>O<,3>单相系统中扩散界面模型中梯度项系数k<,i>与晶界能的关系、晶界能随时间的变化和改变晶界能对晶粒平均尺寸和混晶度的影响.结果表明,晶界能只在最初很短的一段时间里有小幅降低,随后保持不变;模拟发现晶界能将随着k<,i>的值的增加而近似按抛物线规律增大;晶粒的平均尺寸随着晶界能的增加而增大,很好的符合均匀长大理论值m=2,当晶界能较低接近1.0(σ<,u>)时,晶粒长大速率指数m明显偏离均匀长大理论值2,可能是由于晶界能降低导致界面能动性降低所至;晶粒在不同时间和晶界能下始终有大约50％的晶粒尺寸分布在0.71-1.41倍平均尺寸范围内;混晶度值会随时间的延长而增大,且混晶度值随晶界能的增加而增大,当晶界能超过一定值时,混晶度值在某一时间步长有突变增大,这一结果可能对有效控制材料的混晶现象提供新的思路.该文用相场法研究了Al<,2>O<,3>-ZrO<,2>两相系统中ZrO<,2>体积分数对Al<,2>O<,3>晶粒平均尺寸和混晶度的影响.结果表明,当ZrO<,2>体积分数减少时,Al<,2>O<,3>晶粒平均尺寸显著增加,晶粒长大速率加快;当ZrO<,2>体积分数较大时,Al<,2>O<,3>的混晶度值相对较小,且随时间几乎没有变化,而随着ZrO<,2>体积分数的降低,Al<,2>O<,3>的混晶度值增加,且混晶度值会在某时间段出现大的突变,这一结果对确定最佳ZrO<,2>加入量提供了新的考虑角度.该文同时还用相场法研究了Al<,2>O<,3>-ZrO<,2>两相系统中改变界面能对两相各自的晶粒平均尺寸和混晶度的影响.结果表明,增加Al<,2>O<,3>相之间晶界能会使Al<,2>O<,3>的晶粒平均尺寸增大,而对ZrO<,2>的晶粒平均尺寸几乎没有影响;增加Al<,2>O<,3>相之间的晶界能会使Al<,2>O<,3>相的混晶度值增加,而使ZrO<,2>相的混晶度值减小.模拟得到的系统结果对理解晶粒长大的机理和规律有重要学术参考意义,对准确控制材料的晶粒尺寸与特性有重要的参考价值.