脉冲激光沉积制备c轴取向BiCuSeO薄膜及热电性能研究

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硫属氧化物铋铜硒氧(BiCuSeO)是一种层状结构的p型半导体材料,具有极低的本征热导率,在中高温热电领域有着重要的应用前景。目前国际上对BiCuSeO基材料热电性能的研究大多集中在三维多晶块体上,对二维取向薄膜的研究非常少。相比于三维多晶块体材料,二维薄膜更易实现热电器件的集成化,在微区热电发电及制冷领域具有体材料无可替代的优势。此外,二维薄膜更容易实现c轴取向生长,可以利用BiCuSeO基材料电热输运各向异性的特点大幅优化其热电性能。针对以上问题,本论文采用脉冲激光沉积方法(Pulsed Las
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