通信技术的飞速发展,人们已经在享受通信给我们带来的优越性,但同时人类对高性能大容量通信系统的需求也越来越大。在这种需求的拉动下,射频与通信集成电路的研究已经成为热门。在市场需求的拉动下,通信系统对RFIC的要求也越来越来高,要求它们具备低功耗、多功能、低成本等特点,RFIC技术终究会沿着和数字IC一样的道路采用CMOS技术来实现。而混频器就是RFIC研究中至关重要的一个模块,本文就是针对射频通信系统中的混频器模块来展开研究的。本文首先介绍了混频器的基本原理、分类,分析了混频器的增益、噪声系数、1dB压缩点等性能参数,分析了射频模式下的RF无源器件模型。然后设计了Gilbert单元的CMOS混频电路,包括混频器的偏置、负载和LO本振电路。设计一种折叠结构的跨导级电路和LC尾部谐振电路来实现低电压混频功能。其次基于TSMC0.18μm RF CMOS工艺模型对设计好的混频及本振电路的各项主要性能参数在2.5GHz频率下进行了模拟仿真,经过反复优化在各项指标间折衷。在低电压低功耗的条件下预计设计指标如下:增益为10dB ,1dB压缩点为-1dBm,噪声系数为40dB,端口隔离度为60dBm,供电电压为1V,功耗为20mW。最后对一个分立的混频器芯片进行了外部电路设计,分别设计了在900MHz和2.5GHz两个频段的外围电路,利用网络分析仪对该电路进行分析,得到了较好的结果。