【摘 要】
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ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，它具有很大的禁带宽度(3.37eV)和室温激子束缚能(60meV)，显示出优良的压电性、催化性能和独特的光学性能。一维ZnO纳米阵列膜更是以其优异的光学、电学特性引起了国内外越来越多研究者的关注，因此ZnO一维阵列膜的制备和应用成为当前光电材料的一个重要研究方向。当前人们已经发展了很多有效的方法制备出各种形貌的一维纳米ZnO阵列，例如由纳米线、纳米棒、纳米管、纳米
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ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，它具有很大的禁带宽度(3.37eV)和室温激子束缚能(60meV)，显示出优良的压电性、催化性能和独特的光学性能。一维ZnO纳米阵列膜更是以其优异的光学、电学特性引起了国内外越来越多研究者的关注，因此ZnO一维阵列膜的制备和应用成为当前光电材料的一个重要研究方向。当前人们已经发展了很多有效的方法制备出各种形貌的一维纳米ZnO阵列，例如由纳米线、纳米棒、纳米管、纳米带组成的阵列，其中电沉积是一种优异的制备纳米ZnO薄膜的方法，它可以通过对各种沉积参数的调整，从而控制产
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