应用有关热力学数据研究了与西门子法相关的“Si-Cl-H”三元系的复杂化学反应，通过选择一组合适的独立反应，计算了体系在不同条件下(T=1023～1500K，P=1013250～10132.5Pa，n_H2⁰／n_sinHcl3⁰=2／1～50／1)的标准平衡常数、平衡成分、平衡产率η、因子α（平衡产率η与SiHCl₃初始物质的量分数之积）等。以表格的形式择要给出了部分计算结果，它们包括：不同温度下15个化学反应的△_γG_m^θ、K_p^θ值，不同压力下的多晶硅产率表、α因子表，不同氢气配比（原料气中H₂与SiHCl₃的物质的量之比）时SiHCl₃、SICl₄和SICl₂的平衡分数表等。绘制了15个反应的△_γG_m^θ-T和K_p^θ-T图，不同氢气配比、不同压力时的平衡气相成分图，SiHCl₃剩余量随温度的变化图，氢气配比、压力、温度对平衡产率的影响图。此外，还给出了不同温度、不同压力下SiHCl₃的初始物质的量分数对α因数的作用规律图。热力学研究结果表明：1，在温度较低、体系压力为正压（＞101325Pa）时，气相生成产物主要是HCl，SICl₄和SiH₂Cl₂；压力变负（＜101325Pa）时，气相主产物则为HCl和SiCl₄。温度较高的情况下，不论压力大小，气相主产物均为HCl和SiCl₂。2，在体系压力恒定、反应温度较低时，高氢配比下反应Rl（SiHCl₃（g）+H₂（g）=Si（s）+3HCl（g））占优势。而在高温、低压、中氢或低氢配比条件下反应R5（SiHCl₃（g）=SICl₂（g）+HCl（g））为体系的主反应，并且对体系压力和温度都很敏感。3，高氢配比时，保持压力恒定，随着温度的升高多晶硅产率逐渐增大，SiHCl₃的还原愈加充分。当温度达到某一值后，产率却与温度呈反比。4，在氢气配比或温度一定时，产率与体系压力呈反比关系，但是在高温、低氢配比、压力为负压时，却出现了产率随压力的增大而增加的反常现象。5，保持压力或温度恒定时，多晶硅产率η均随氢气配比的增大而增大，α却随氢气配比的增大而减小。实际生产中应综合考虑α和η两个因子，以便在保证产量的条件下达到较大的Si产率。