TiO₂作为重要的半导体光催化剂，因具有良好的光催化活性、稳定的光化学性能、无毒性、低成本、使用寿命长而备受研究者关注。然而TiO₂也存在着带隙能较宽，光生电荷复合速度快的缺陷，克服这方面缺点的有效手段之一就是掺杂调控技术。目前非金属掺杂已经是掺杂调控研究的热点，本文主要利用具有缺电子结构的非金属B改性提高TiO₂光催化性能。本文采用溶胶凝胶法和溶剂热合成法制备出了二元B-TiO₂和三元Al-B-TiO₂、La-B-TiO₂光催化材料，主要通过XRD、SEM、Raman、FT-IR、XPS以及N2等温脱附吸附等手段对二元B-TiO₂进行了表征，对三元Al-B-TiO₂、La-B-TiO₂进行了BET比表面和BJH孔径分布分析。主要分析和研究了B的掺杂量及煅烧温度对TiO₂纳米颗粒结构、表面形貌、晶型转变与表面离子价态变化、比表面和孔径分布以及对甲基橙光催化性能等的影响，初步分析了Al-B、La-B共掺杂下对TiO₂孔径分布和降解甲基橙性能的影响。通过实验研究得出：1)溶胶凝胶法和溶剂热合成法制备的二元B-TiO₂，B的最佳掺杂量都为3%，B的掺杂量都对TiO₂晶粒的生长起一定的抑制作用；不同方法制备出的B-TiO₂晶粒尺寸、BET比表面积和孔径分布不相同；B掺杂量对TiO₂表面形貌没有显著的影响；但B在TiO₂中的存在状态发生了变化，溶胶凝胶法制备的B-TiO₂样品，B主要进入TiO₂晶格间隙形成固溶体，以B-O-Ti形式存在；而溶剂热合成法制备的B-TiO₂，B主要是占据TiO₂晶格O的位置，以B-Ti-O的形式存在。对比光催化降解甲基橙的效率，溶剂热合成法制备的B-TiO₂要高于溶胶凝胶法制备的。2)两种方法制备的B-TiO₂样品的最佳煅烧温度都为400℃，随着煅烧温度的升高，制备的B-TiO₂晶粒尺寸逐渐增大，平均孔径都有所增大，比表面积逐渐减小；煅烧温度对TiO₂表面形貌没有明显的影响；煅烧温度的变化会对B存在的状态产生影响，分析显示溶胶凝胶法制备的3%B-TiO₂中的B-O-Ti结构会随着温度的升高而减少。3)制备的三元Al-B-TiO₂和La-B-TiO₂样品对甲基橙的光催化降解效率均低于二元B-TiO₂，但吸附性能都有所增大。