大功率发光二极管(Light Emitting Diode,简称LED)具有寿命长、功耗低以及维护要求较低的特点,已被广泛应用于户外照明。鉴于目前单颗LED光效较低,LED照明或显示装置多采用多颗LED灯串联的方式增加功率及照度。单个LED出现故障往往会导致整个灯串无法正常工作。在任何情况下,LED灯串故障通常意味着高昂的维护成本,而LED旁路保护器件可有效解决这一问题。本论文旨在解决现有LED旁路保护器件的技术不足,提供一种低成本但又能满足实际需求的LED局部损坏旁路保护器件的结构及工艺制造方法。该保护器件集成了可控硅、电阻及二极管等结构,可对LED器件进行双向静电放电保护,同时内部的可控硅结构可起到电流旁路作用,避免LED灯串中的某一颗损坏开路而导致整串灯不亮的情况。该芯片可单独进行封装,即可与被保护的LED器件并联使用,也可集成在LED器件内部使用。本文以晶闸管结构作为保护器件的核心,利于提高瞬变电压的耐受能力,设计了一种LED保护器件的结构、版图和工艺流程。在模拟仿真和大量实验工作的基础上,系统分析了影响电参数的关键因素,优化工艺条件,经过工艺流片、封装、测试,获得了主要性能参数。测试结果表明,样品的启动电压典型值为5.06V(监测电流0.8mA),监测电流典型值为36μA(监测电压3.5V)：启动延迟时间约50ns；抗静电能力高于10kV,达到Ⅲ级ESD耐受标准;经50次温度循环试验测试和1000小时长期工作寿命试验测试,性能参数稳定、管芯外观无异常。